變壓器介質(zhì)損耗測試儀

儀器采用復(fù)數(shù)電流法，測量電容、介質(zhì)損耗及其它參數(shù)。測試結(jié)果精度高，便于實(shí)現(xiàn)自動化測量； 儀器采用了變頻技術(shù)來消除現(xiàn)場50Hz工頻干擾，即使在強(qiáng)電磁干擾的環(huán)境下也能測得可靠的數(shù)據(jù)； 儀器采用大屏幕液晶顯示器，測試過程通過漢字菜單提示既直觀又便于操作； 儀器操作簡便，測量過程由微處理器控制，只要選擇好合適的測量方式，數(shù)據(jù)的測量就可在微處理器控制下自動完成； 一體化機(jī)型，內(nèi)附標(biāo)準(zhǔn)電容和高壓電源，便于現(xiàn)場測試，減少現(xiàn)場接線。

注意事項(xiàng)
1、儀器必須可靠接地，否則儀器報(bào)警，不進(jìn)入主菜單。
2、從儀器上取放油杯前，一定要關(guān)閉電源。
3、油杯裝好后，先檢測空杯，電容值應(yīng)為60±2pF，介損小于0.005%；若電容值大于62時(shí)，應(yīng)重新安裝，介損不合格時(shí)，應(yīng)重新清洗油杯。
4、由于新油杯可能有灰塵或布屑，所以新油杯裝好后，要用試樣油清洗三次（加入試樣油，上下左右轉(zhuǎn)動內(nèi)電極，然后倒掉），加熱后清洗效果更好。

變壓器介質(zhì)損耗測試儀產(chǎn)品特點(diǎn)：

1儀器采用復(fù)數(shù)電流法，測量電容、介質(zhì)損耗及其它參數(shù)。測試結(jié)果精度高，便于實(shí)現(xiàn)自動化測量。

2、儀器采用了變頻技術(shù)來消除現(xiàn)場50Hz工頻干擾，即使在強(qiáng)電磁干擾的環(huán)境下也能測得可靠的數(shù)據(jù)。

3、儀器采用大屏幕液晶顯示器，測試過程通過漢字菜單提示既直觀又便于操作。

4、儀器操作簡便，測量過程由微處理器控制，只要選擇好合適的測量方式，數(shù)據(jù)的測量就可在微處理器控制下自動完成。

5、一體化機(jī)型，內(nèi)附標(biāo)準(zhǔn)電容和高壓電源，便于現(xiàn)場測試，減少現(xiàn)場接線。

6、儀器測量準(zhǔn)確度高，可滿足油介損測量要求，因此只需配備標(biāo)準(zhǔn)油杯，和測試線即可實(shí)現(xiàn)油介損測量。

7、設(shè)CVT測試功能，可實(shí)現(xiàn)CVT的自激法測試，無需外置附件，只需一次測量，C1,C2的電容和介損全部測出。

8、反接線測試采用ivddv技術(shù),消除了以往反接線數(shù)據(jù)不穩(wěn)定的現(xiàn)象。

9、具有反接線低壓屏蔽功能，在220kV CVT 母線接地情況下，對C11 可進(jìn)行不拆線10kV 反接線介損測量

10、具有測量高電壓介損功能，能夠使用高壓變壓器或串聯(lián)諧振進(jìn)行超過10kV電壓的介損試驗(yàn)。

12、接地保護(hù)功能，當(dāng)儀器不接地線或接地不良時(shí)，儀器不進(jìn)入正常程序，不輸出高壓。過流保護(hù)功能，在試品短路或擊穿時(shí)儀器不受損壞。

13、觸電保護(hù)功能，當(dāng)儀器操作人員不小心觸電時(shí)候，儀器會立即切斷高壓，保障試驗(yàn)人員的安全.

主要技術(shù)指標(biāo)
      1、環(huán)境溫度：0 ～ 40℃（液晶屏應(yīng)避免長時(shí)日照）         
      2、相對濕度：30% ～ 70% 
      3、供電電源：電壓：220V±10%、頻率：50±1Hz 
      4、外形尺寸：長×寬×高   500mm×300mm×400mm 
      5、重量：    約18Kg           
      6、輸出功率：0.6KVA 
      7、顯示分辯率：3位、4位（內(nèi)部全是6位） 
      8、測量范圍及輸出電壓選擇： 
                 介質(zhì)損耗（tgδ）：±0.00～±999% 
                 試品電容容量（Cx）和加載電壓： 
                 2.5KV檔:≤300nF（300000pF）            3KV檔:≤200nF（200000pF） 
                 5KV檔:≤76nF（76000pF）                7.5KV檔:≤34nF（34000pF） 
                 10KV檔:≤20nF（20000pF） 
      9、基本測量誤差： 
                 介質(zhì)損耗（tgδ）：1%±7個(gè)字（加載電流20uA～500mA） 
                 介質(zhì)損耗（tgδ）：2%±9個(gè)字（加載電流5uA～20uA） 
                 電容容量（Cx）：1.5%±1.5pF